Junction Field-Effect Transistor (JFET) Pin Identification
Gaten til en JFET tilsvarer basen til en transistor, mens kilden og avløpet tilsvarer henholdsvis emitteren og kollektoren. Sett et multimeter til R×1k-området og mål motstanden forover og bakover mellom hvert pinnepar. Når motstanden forover og bakover mellom to pinner er like, begge flere kΩ, er disse to pinnene drain (D) og source (S) (utskiftbare). Den gjenværende pinnen er porten (G). For JFET-er med fire pinner, er den gjenværende pinnen skjoldet (jordet under bruk).
Portbestemmelse
Berør en elektrode på transistoren med den svarte sonden på multimeteret, og berør de to andre elektrodene med den røde sonden. Hvis begge målte motstandene er svært høye, indikerer det omvendt motstand, noe som betyr at transistoren er en N--kanal JFET, og den svarte sonden er koblet til porten. Produksjonsprosessen tilsier at kilden og avløpet til en JFET er symmetriske og utskiftbare uten å påvirke kretsdriften; derfor er differensiering unødvendig. Motstanden mellom kilden og avløpet er omtrent flere tusen ohm.
Merk at denne metoden ikke kan brukes til å bestemme porten til en isolert -gatefelt-effekttransistor (IGFET). Dette er fordi inngangsmotstanden til slike transistorer er ekstremt høy, og gate-kildekapasitansen er veldig liten. Under måling kan selv en liten mengde ladning skape en veldig høy spenning over gate-kildekapasitansen, noe som lett kan skade transistoren.
Estimere forsterkningsevne
Still multimeteret til R×100-området. Koble den røde sonden til kilden (S) og den svarte sonden til avløpet (D), og tilfør effektivt en 1,5V strømforsyningsspenning til IGFET. Målernålen vil da indikere D-S motstandsverdien. Deretter klyper du porten (G) med fingeren, og påfører den induserte spenningen fra kroppen din som et inngangssignal til porten. På grunn av transistorens forsterkningseffekt vil både UDS og ID endres, noe som tilsvarer en endring i D-S-motstanden. En betydelig svingning i målernålen kan observeres. Hvis nålen svinger veldig lite når porten er i klem, er transistorens forsterkningsevne svak; hvis nålen ikke beveger seg, er transistoren skadet. Fordi 50Hz AC-spenningen indusert av menneskekroppen er relativt høy, og driftspunktet til forskjellige MOSFET-er kan variere når de måles med et motstandsområde, kan målernålen svinge til høyre eller venstre når porten klemmes for hånd. Noen få MOSFET-er vil ha redusert RDS, noe som får nålen til å svinge til høyre; de fleste MOSFET-er vil ha økt RDS, noe som får nålen til å svinge til venstre. Uavhengig av retningen på nålens sving, så lenge det er en merkbar svingning, indikerer det at MOSFET har forsterkningsevne.
Denne metoden gjelder også for måling av MOSFET-er. For å beskytte MOSFET, må det isolerte håndtaket på skrutrekkeren holdes for hånd, og porten må berøres med en metallstang for å forhindre at den induserte ladningen påføres direkte på porten og skade MOSFET.
Etter hver måling av en MOSFET vil det samle seg en liten mengde ladning på G-S-krysset kapasitans, og etablere en spenning UGS. Når du måler på nytt, kan det hende at målernålen ikke beveger seg. I dette tilfellet vil kortslutning av-G-S-terminalene løse problemet.
